성공 사례: 전기공학 분야 하드웨어 개발 선임 엔지니어 EB2-NIW 승인

성공 사례: 전기공학 분야 하드웨어 개발 선임 엔지니어 EB2-NIW 승인

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승인 통지일: 2013년 9월 11일 (승인 통지서 보기)
전문분야: 전기공학 (Electrical Engineering)
신청서 접수 시 직업: 하드웨어 개발 선임 엔지니어
출생국가: 대만
서비스 센터: 네브라스카 서비스 센터 (신청서 접수 당시 거주지: 캘리포니아 주)
신청서 처리 기간: 5주

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I-140 취업 이민 신청서의 평균 심사 기간은 4~6개월입니다. 그렇지만 저희 Chen 이민 법률 사무소에서 진행한 사례 중에는 평균 심사 기간보다 훨씬 빠르게 승인된 경우가 많습니다. 이번 사례도 그중 하나입니다.

이번 NIW 성공 사례의 주인공은 전기공학 분야에서 일하고 있는 대만 태생의 하드웨어 개발 선임 엔지니어입니다. 신청인의 연구는 특히 광자 직접회로의 개발과 고속 나노스케일 전자 기기의 개발에 중점을 두고 있습니다. 우리는 신청인의 미국 이민이 전기공학 분야뿐 아니라 나아가 미국 시민 전체에 이익을 가져다줄 것임을 증명했습니다. 이번 NIW 사례의 성공을 보장하기 위해 우리는 주요 학술지에 발표된 상호 검토 논문과 학술회의 논문 총 8편 등을 포함한 신청인의 중요한 업적과 공헌도를 증명하는 증거자료를 철저하게 준비하여 제출했습니다. 특히 신청서 접수 당시 신청인의 논문은 총 50회가량 인용되어, 전기공학 분야에서 신청인의 연구가 차지하는 입지와 그 영향력을 반영하고 있습니다. 제3자 추천인 중 한 분은 신청인의 연구 성과와 공헌도에 대해 다음과 같이 진술하여 신청서의 설득력을 뒷받침했습니다. “[The petitioner] works within the High Speed Integrated Circuits research group. His projects with the group have garnered funding from leading world consortiums . . . [The petitioner] was able to demonstrate the first inversion-channel enhancement-mode GaAs channel MOSFET, utilizing a regrowth source/drain process. Beyond this, [the petitioner] has fabricated 90nm gate length high electron mobility InGaAs FETs with double the performance of 90nm Si CMOS (complimentary metal-oxide-semiconductor).” 이처럼 우리 Chen 이민 법률 사무소에서 철저한 증거 서류와 설득력이 탄탄한 커버레터와 추천서를 준비하여, 신청인이 비슷한 학력 및 경력을 가진 다른 사람들보다 더 크게 미국 국익에 이바지하리라는 것을 증명했습니다. 이번 NIW 사례는 신청서 접수일로부터 단 5주 만에 빠르게 승인되었습니다.

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